何亮

个人信息:Personal Information

副教授

性别:男

毕业院校:西安电子科技大学

学历:博士研究生毕业

学位:博士学位

在职信息:在岗

所在单位:先进材料与纳米科技学院

入职时间:2006-04-01

学科:材料科学与工程

办公地点:西电南校区G楼142东

电子邮箱:

扫描关注

论文成果

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Gate metal and cap layer effects on Ge nMOSFETs low-frequency noise behavior

点击次数:

发表刊物:IEEE Transactions on Electron Devices

发表刊物:IEEE Transactions on Electron Devices

第一作者:Liang He, Pan Zhao, Jiahao Liu, Yahui Su, Hua Chen, Xiaofei Jia, Hiroaki Arimura, Jerome Mitard, Liesbet Witters, Naoto Horiguchi, Nadine Collaert, Cor Claeys and Eddy Simoen

论文类型:Article

Baidu
map