高海霞

个人信息:Personal Information

副教授

性别:女

毕业院校:西安电子科技大学

学历:博士研究生毕业

学位:博士学位

在职信息:在岗

所在单位:微电子学院

学科:微电子学与固体电子学

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  • 随着移动互联网、物联网、人工智能等技术的深入发展,人们对大数据及时处理的能力和速度提出了全新的要求。一方面需要开发致密、快速、低功耗、高可靠非易失存储器,以满足指数增长的信息存储的需求。另一方面,云计算、边缘计算等技术仍然没有摆脱传统冯·诺依曼计算架构,其计算和存储功能是分离的,导致CPU和存储器之间数据总线传输信息有限,引起数据传输瓶颈。阻变存储器(RRAM)的出现为解决这两方面的问题带来了可能。RRAM是基于“记忆”外加电压而动态改变其内部电阻状态的电阻开关。其阻变特性以及由其衍生的类生物突触特性,使得其可以实现很高密度的集成,同时可以从本质上突破冯•诺依曼体系。RRAM在存储、神经形态计算以及类脑芯片的应用方面极具发展前景。


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