高海霞
个人信息:Personal Information
副教授
性别:女
毕业院校:西安电子科技大学
学历:博士研究生毕业
学位:博士学位
在职信息:在岗
所在单位:微电子学院
学科:微电子学与固体电子学
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随着移动互联网、物联网、人工智能等技术的深入发展,人们对大数据及时处理的能力和速度提出了全新的要求。一方面需要开发致密、快速、低功耗、高可靠非易失存储器,以满足指数增长的信息存储的需求。另一方面,云计算、边缘计算等技术仍然没有摆脱传统冯·诺依曼计算架构,其计算和存储功能是分离的,导致CPU和存储器之间数据总线传输信息有限,引起数据传输瓶颈。阻变存储器(RRAM)的出现为解决这两方面的问题带来了可能。RRAM是基于“记忆”外加电压而动态改变其内部电阻状态的电阻开关。其阻变特性以及由其衍生的类生物突触特性,使得其可以实现很高密度的集成,同时可以从本质上突破冯•诺依曼体系。RRAM在存储、神经形态计算以及类脑芯片的应用方面极具发展前景。
- Effect of nitrogen capture ability of quantum dots on resistive switching characteristics of AlN-based RRAM.Applied Physics Letters:2021
- Enhanced Switching Stability in Forming-Free SiNx Resistive Random Access Memory Devices with Low Power Consumptions Based on Local Pt Doping in a Stacked Structure.Advanced Electronic Materials:2019
- Effect of thickness of metal electrode on the performance of SiNx-based resistive switching devices.Applied Physics Letters:2019
- Influence of Nitrogen Adsorption of Doped Ta on Characteristics of SiNx-Based Resistive Random Access Memory.Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science:2019
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