戴显英

个人信息:Personal Information

教授 博士生导师 研究生导师

性别:男

毕业院校:西安电子科技大学

学历:博士研究生毕业

学位:博士学位

在职信息:在岗

所在单位:微电子学院

入职时间:1982-07-30

学科:微电子学与固体电子学

办公地点:太白校区东大楼517A

联系方式:手机:13891978310,微信:13891978310

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专利

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基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法

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所属单位:微电子学院

专利范围:国内

第一作者:戴显英

专利类型:发明专利

申请号:201110361521.6

发明人数:7

是否职务专利:

申请日期:2011-11-16

授权日期:2014-09-24

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